ex-Facoltà di Scienze MM. FF. NN.
Università degli studi di Padova
Dettaglio Docente

Dettaglio docente

Docente:
DE SALVADOR DAVIDE
Qualifica:
Professore associato L. 240/2010
Struttura:
Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei"
Telefono:
498277107
Mail:
davide.desalvador@unipd.it
Sito web:
SSD:
FIS/03
Ricevimento:

Giovedì 8.30 – 10.00

Curriculum scientifico

Davide De Salvador ha conseguito la laurea in Fisca nel 1997 con il voto di 110/110 e lode e il dottorato di ricerca in Fisica nel 2000 entrambi presso l’Università degli studi di Padova. Dal 2005 è ricercatore presso il dipartimento di Fisica G. Galilei. Svolge attività didattica nei corsi di ‘laboratorio di fisica della materia ‘ per la laurea triennale in scienze dei materiali e i corsi di ‘fisica dei semiconduttori’ e ‘fisica e tecnologia dei semiconduttori’ per la laurea specialistica in fisica e scienze dei materiali. La sua attività di ricerca riguarda lo studio sperimentale e modellistico delle proprietà strutturali dei materiali semiconduttori quali la deformazione reticolare in funzione della composizione chimica, dei difetti e del drognte; le proprietà di diffusione e attivazione dei droganti e lo studio di metodi innovativi per il confinamento del drogante su scale nanometriche. De Salvador ha circa 70 pubblicazioni internazionali e ha tenuto diverse comunicazioni su invito presso conferenze internazionali.

Pubblicazioni più rilevanti

1. S. Mirabella, D. De Salvador, E. Bruno, E. Napolitani, E.F. Pecora, S. Boninelli, F. Priolo; ‘Mechanism of boron diffusion in amorphous silicon’; Phys. Rev. Lett., 100, (2008) 155901. 2. W. Scandale, D.A. Still, A. Carnera, G. Della Mea, D. De Salvador et al. ‘High-efficiency volume reflection of an ultrarelativistic proton beam with a bent silicon crystal’ Phys. Rev. Lett., 98, (2007) 154801. 3. D. De Salvador et al. ; ‘Experimental evidence of B clustering in amorphous Si during ultrashallow junction formation.’ Appl. Phys. Lett. 89, (2006) 241901. 4. D. De Salvador, E. Napolitani, S. Mirabella, G. Bisognin, G. Impellizzeri, A. Carnera, F. Priolo; ‘Atomistic Mechanism of Boron Diffusion in Silicon.’ Phys. Rev. Lett. 97, (2006) 255902 5. M. Berti, G. Bisognin, D. De Salvador, et al.; ‘Formation and dissolution of D-N complexes in dilute nitrides.’ Phys. Rev. B 76, (2007) 205323
Aggiornata il 15/07/2011 11:06
N. 10674219     dal 20.07.2007